[发明专利]一种钕铁硼磁体渗镝的方法在审
| 申请号： | 202110010772.3 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN112837921A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈凯华 | 申请（专利权）人： | 陈凯华 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 南昌逸辰知识产权代理事务所(普通合伙) 36145 | 代理人： | 刘晓敏 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钕铁硼磁体渗镝的方法，包括以下步骤：A、首先将钕铁硼薄片进行粉末，得到粉末A；B、在粉末A中加入氧化镝粉末，充分混合后进行球磨处理，得到粉末B；C、将粉末B压制成型得到坯体，再将坯体加入高温炉中进行热处理；D、将热处理后的坯体进行清洗，去除表面油污，再进行热风干燥；E、制备渗镝液；F、将处理后的坯体加入容器中，再倒入渗镝液，使坯体完全浸入渗镝液中，之后进行水浴加热处理；G、将渗镝后的钕铁硼磁体用铁皮包裹住，在800‑900℃的条件下真空处理5‑6小时，然后在320‑440℃的条件下真空处理4‑5小时，即可。本发明采用的渗镝方法操作简单，能够提高钕铁硼磁体矫顽力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钕铁硼 磁体 方法 | ||
【主权项】：
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