[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110007515.4 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN113113465A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 平崎贵英 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：氮化物半导体层；绝缘层，其设置在氮化物半导体层的表面上；以及金属电极，其通过穿透绝缘层的开口与该表面接触。绝缘层包括第一SiN膜和第二SiN膜，第一SiN膜具有1×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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