[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

氮化物半导体层；

绝缘层，所述绝缘层设置在所述氮化物半导体层的表面上；以及

金属电极，所述金属电极通过穿透所述绝缘层的开口与所述表面接触，

其中，所述绝缘层包括：

第一氮化硅(SiN)膜，所述第一SiN膜具有1×10²⁰[原子/cm³]或更大的氯(Cl)的浓度和30nm或更小的厚度，以及

第二氮化硅(SiN)膜，所述第二SiN膜具有1×10¹⁹[原子/cm³]或更小的氯(Cl)的浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一SiN膜被定位成比所述第二SiN膜更靠近所述氮化物半导体层的所述表面。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第一SiN膜与所述氮化物半导体层的所述表面接触。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体器件，

其中，所述第二SiN膜的厚度比所述第一SiN膜的厚度厚。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中，所述第二SiN膜的所述厚度与所述第一SiN膜的所述厚度的比率为1或更大且5或更小。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体器件，

其中，所述第一SiN膜的折射率为2.3或更大且2.4或更小，并且所述第二SiN膜的折射率为2.2或更小。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体器件，还包括：

另一绝缘层，所述另一绝缘层设置在所述绝缘层上以覆盖所述金属电极。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

使用化学气相沉积方法，在氮化物半导体层的表面上形成包括第一氮化硅(SiN)膜和第二氮化硅(SiN)膜的绝缘层，所述第二SiN膜在所述第一SiN膜上；

通过使用基于氟的气体的反应性离子蚀刻，在所述绝缘层中形成用于暴露所述表面的开口；以及

形成通过所述开口与所述表面接触的金属电极，

其中，在所述表面上形成所述绝缘层中，

使用包含复合气体和氨气NH₃的原料气体来形成所述第一SiN膜和所述第二SiN膜，所述复合气体包含硅(Si)和氯(Cl)，

当形成所述第一SiN膜时，将所述复合气体的流量与所述氨气的流量的流量比率设置为1/4或更大且10或更小，并且

当形成所述第二SiN膜时，将所述流量比率设置为1/10或更小。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，

其中，在所述绝缘层中形成所述开口中，

所述基于氟的气体是六氟化硫(SF₆)或四氟化碳(CF₄)。