[发明专利]一种线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源在审

专利信息
申请号: 202110002163.3 申请日: 2021-01-04
公开(公告)号: CN114724912A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 张瑶瑶;刘小波;胡冬冬;张怀东;刘海洋;李娜;郭颂;李晓磊;许开东 申请(专利权)人: 江苏鲁汶仪器有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01J37/08
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 石艳红
地址: 221300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源,包括从外至内依次同轴设置的离子源腔、线圈支撑、线圈和放电腔本体;放电腔本体包括放电腔顶部、放电腔中部和放电腔底部;放电腔顶部为中空圆环;放电腔底部为中心设有进气孔的圆盘;放电腔中部包括上端直筒和下端Dome型筒;线圈支撑的外圈安装在离子源腔的内壁面,线圈支撑的内壁面形状与放电腔本体的形状相同;线圈安装在线圈支撑内,且包括筒形螺旋线圈和Dome型线圈;筒形螺旋线圈的位置与上端直筒的位置相对应,Dome型线圈与下端Dome型筒的位置相对应;每层线圈到放电腔本体外壁面的距离均相等。本发明将盘香形ICP源与筒状ICP源相结合,能够分段调节放电腔本体内的等离子体密度,改善刻蚀均匀性。
搜索关键词: 一种 线圈 结构 放电 进行 变化 离子源
【主权项】:
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