[发明专利]一种线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源在审

专利信息
申请号: 202110002163.3 申请日: 2021-01-04
公开(公告)号: CN114724912A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 张瑶瑶;刘小波;胡冬冬;张怀东;刘海洋;李娜;郭颂;李晓磊;许开东 申请(专利权)人: 江苏鲁汶仪器有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01J37/08
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 石艳红
地址: 221300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 线圈 结构 放电 进行 变化 离子源
【权利要求书】:

1.一种线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源,其特征在于:包括从外至内依次同轴设置的离子源腔、线圈支撑、线圈和放电腔本体;

放电腔本体包括依次连接的放电腔顶部、放电腔中部和放电腔底部;

放电腔顶部为中空圆环,且位于等离子出口侧;

放电腔底部为中心设有进气孔的圆盘;其中,进气孔用于通入待电离气体;中空圆环的圆心和圆盘的圆心均位于放电腔本体的中心轴线上;

放电腔中部包括依次连接的上端直筒和下端Dome型筒;上端直筒的顶端与放电腔顶部依次连接,下端Dome型筒的底部与放电腔底部的外缘依次连接;

线圈支撑的外圈安装在离子源腔的内壁面,线圈支撑的内壁面形状与放电腔本体的形状相同;

线圈安装在线圈支撑内,线圈两端分别与射频源相连接;线圈包括筒形螺旋线圈和Dome型线圈;其中,筒形螺旋线圈的位置与上端直筒的位置相对应,Dome型线圈与下端Dome型筒的位置相对应;每层线圈到放电腔本体外壁面的距离均相等。

2.根据权利要求1所述的线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源,其特征在于:放电腔本体的壁厚为2~20mm。

3.根据权利要求1所述的线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源,其特征在于:放电腔本体的材质为石英或陶瓷。

4.根据权利要求1所述的线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源,其特征在于:当放电腔本体的材质为石英时,每层线圈到放电腔本体外壁面的距离均为2~30mm;当放电腔本体的材质为陶瓷时,每层线圈到放电腔本体外壁面的距离均为0~30mm。

5.根据权利要求1所述的线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源,其特征在于:假设放电腔本体的壁厚为H,每层线圈到放电腔本体外壁面的距离均为L,则H和L,根据放电腔本体内所需的等离子密度进行选择。

6.根据权利要求5所述的线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源,其特征在于:当放电腔本体内所需的等离子密度较高时,则选择均较小的H和L;当放电腔本体内所需的等离子密度较低时,则选择均较大的H和L。

7.根据权利要求5所述的线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源,其特征在于:当放电腔本体的壁厚H已确定时,通过调节每层线圈到放电腔本体外壁面的距离L,进而放电腔本体内的等离子体密度;当放电腔本体的壁厚H较大时,通过减小L,使得放电腔本体内的等离子体密度达到均匀;当放电腔本体的壁厚H较小时,通过增大L,使得放电腔本体内的等离子体密度达到均匀。

8.根据权利要求1所述的线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源,其特征在于:放电腔底部内壁面同轴安装有匀气盘,匀气盘具有与进气孔相连通的匀气腔。

9.根据权利要求1所述的线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源,其特征在于:线圈支撑的内壁面设置有用于安装线圈的槽口。

10.根据权利要求1所述的线圈结构能随放电腔结构进行变化的离子源,其特征在于:线圈采用3D打印成型。

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