[发明专利]具有减量坩埚腐蚀的单晶硅锭的形成方法在审
| 申请号： | 202080107747.0 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116615580A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | R·J·菲利普斯;S·塞佩达 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开具有减量坩埚腐蚀的单晶硅锭的形成方法。将固相石英添加到熔融物以使坩埚‑熔融物表面界面处的腐蚀减量。所述石英可为合成石英，例如合成石英棒。所述石英可安置于所述坩埚‑熔融物表面界面附近。石英溶解且抑制在所述坩埚‑熔融物表面界面处从坩埚溶解的石英的量。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 坩埚 腐蚀 单晶硅 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于环球晶圆股份有限公司，未经环球晶圆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080107747.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
