[发明专利]具有减量坩埚腐蚀的单晶硅锭的形成方法

权利要求书

1.一种用于形成单晶硅锭的方法，其包括：

将固相多晶硅添加到具有侧壁及底部的坩埚；

加热所述多晶硅以形成具有表面的硅熔融物；

将所述硅熔融物与晶种接触；

从所述硅熔融物抽出所述晶种以形成硅锭；

将合成石英添加到所述熔融物；及

至少部分溶解所述合成石英，所述合成石英在被溶解时在所述熔融物的所述表面处毗连所述坩埚侧壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述合成石英经塑形为棒、管、球体或具有不规则形状。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述合成石英含有5.0ppmw或更少的杂质，或1.0ppmw或更少或0.7ppmw或更少的杂质。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述坩埚包括石英基底层及安置于所述石英基底层上的合成石英衬层。

5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的方法，其中所述合成石英在所述熔融物的所述表面处绕所述坩埚的整个圆周安置。

6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其包括旋转所述坩埚，其中由所述坩埚的旋转引起的离心力使所述合成石英毗连所述坩埚侧壁。

7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其中通过固定装置抵靠所述坩埚侧壁固持所述合成石英。

8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的方法，其中在所述硅锭的生长之前添加所述合成石英。

9.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的方法，其中在锭生长期间添加合成石英。

10.根据权利要求1至9中任一权利要求所述的方法，其中将合成石英添加到所述熔融物不超过一次。

11.根据权利要求1至9中任一权利要求所述的方法，其中在两个或更多个周期中将合成石英添加到所述熔融物。

12.根据权利要求1至11中任一权利要求所述的方法，其中在批量丘克拉斯基工艺中生长所述锭且在锭生长期间不将多晶硅添加到所述熔融物。

13.根据权利要求1至11中任一权利要求所述的方法，其中在其中在锭生长期间将多晶硅添加到所述熔融物的连续丘克拉斯基工艺中生长所述锭。

14.一种用于形成单晶硅锭的方法，其包括：

将固相多晶硅添加到具有侧壁及底部的坩埚；

加热所述多晶硅以形成硅熔融物；

将所述硅熔融物与晶种接触；

从所述硅熔融物抽出所述晶种以形成硅锭；

将固相石英添加到所述熔融物；及

至少部分溶解所述石英以使所述坩埚的溶解减量，所述石英在被溶解时在所述熔融物的表面处毗连所述坩埚的整个圆周。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述石英经塑形为棒、管、球体或具有不规则形状。

16.根据权利要求14或权利要求15所述的方法，其中所述石英含有5.0ppmw或更少的杂质，或1.0ppmw或更少或0.7ppmw或更少的杂质。

17.根据权利要求14至16中任一权利要求所述的方法，其中所述坩埚包括石英基底层及安置于所述石英基底层上的合成石英衬层。

18.根据权利要求14至17中任一权利要求所述的方法，其包括旋转所述坩埚，其中由所述坩埚的旋转引起的离心力使所述石英棒毗连所述坩埚侧壁。