[发明专利]高氧化物膜去除速率浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光在审
| 申请号： | 202080092710.5 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114929822A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 史晓波;K·P·穆瑞拉;J·D·罗斯;周鸿君;M·L·奥尼尔 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K3/14;H01L21/3105;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了高氧化物膜去除速率浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光组合物、其使用方法和系统。该CMP抛光组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒的磨料，例如二氧化铈涂覆的二氧化硅；以及用于提供高氧化物膜去除速率的化学添加剂。该化学添加剂是在同一分子上具有负电荷和正电荷的明胶分子。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 去除 速率 沟槽 隔离 sti 化学 机械 平面化 cmp 抛光 | ||
【主权项】：
暂无信息
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