[发明专利]包括等离子体激元谐振器的混合传感器在审
| 申请号： | 202080085114.4 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114868257A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | A.福尔克;S.扎法尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/062 | 分类号： | H01L31/062;H01L31/112 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈金林 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包括连接半导体衬底(312)上的源极(302)和半导体衬底(312)上的漏极(304)的沟道(310)，其中沟道(310)包括等离子体激元谐振器。一种传感器，包括等离子体激元膜、半导体结构和等离子体激元膜与半导体结构的栅极之间的电连接，其中等离子体激元膜包括对已知分析物的敏感性，半导体结构包括场效应晶体管的源极(302)和漏极(304)。一种形成传感器的方法，包括在半导体衬底(312)上形成场效应晶体管(“FET”)，该场效应晶体管包括源极(302)、漏极(304)和栅极，其中该栅极包括等离子体激元谐振器。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 等离子体 谐振器 混合 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
