专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]包括等离子体激元谐振器的混合传感器-CN202080085114.4在审
  • A.福尔克;S.扎法尔 - 国际商业机器公司
  • 2020-12-02 - 2022-08-05 - H01L31/062
  • 一种半导体结构,包括连接半导体衬底(312)上的源极(302)和半导体衬底(312)上的漏极(304)的沟道(310),其中沟道(310)包括等离子体激元谐振器。一种传感器,包括等离子体激元膜、半导体结构和等离子体激元膜与半导体结构的栅极之间的电连接,其中等离子体激元膜包括对已知分析物的敏感性,半导体结构包括场效应晶体管的源极(302)和漏极(304)。一种形成传感器的方法,包括在半导体衬底(312)上形成场效应晶体管(“FET”),该场效应晶体管包括源极(302)、漏极(304)和栅极,其中该栅极包括等离子体激元谐振器。
  • 包括等离子体谐振器混合传感器

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