[发明专利]垂直场效应晶体管和用于构造垂直场效应晶体管的方法在审
| 申请号： | 202080060851.9 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN114375499A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | J·巴林豪斯 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种垂直场效应晶体管(100)，该垂直场效应晶体管具有：具有第一导电类型的漂移区(112)、在所述漂移区(112)上面或者在所述漂移区(112)上方的沟槽结构(102)、屏蔽结构(118，119)和源/漏电极(151，152)。沟槽结构(102)具有至少一个侧壁，在所述侧壁上构造场效应晶体管(FET)沟道区，其中，所述FET沟道区具有用于在III‑V族异质结构(117，121)的界面上构造二维电子气的III‑V族异质结构(117，121)。屏蔽结构横向地布置在所述沟槽结构(102)的至少一个侧壁旁边，并且垂直地延伸到所述漂移区(112)中，或者垂直地在所述漂移区(112)的方向上比所述沟槽结构(102)更远地延伸。屏蔽结构(118，119)具有不同于第一导电类型的第二导电类型。源/漏电极(151)与沟槽结构(102)的III‑V族异质结构(117，121)和屏蔽结构(118，119)导电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 用于 构造 方法 | ||
【主权项】：
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