[发明专利]涂敷显影装置在审
| 申请号： | 202080056483.0 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN114222948A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 泷口靖史 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/30;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的涂敷显影装置(1)包括送入送出站(S1)、处理站(S4)、涂敷前清洗部(23)和涂敷后清洗部(54)。送入送出站包括载置收纳有多个基片(W)的盒(C)的盒载置部(11)。处理站包括：涂敷处理部(COT)，其对基片的正面进行涂敷抗蚀剂的涂敷处理；显影处理部(DEV)，其对由曝光装置(EXP)曝光后的基片的正面供给显影液来进行显影处理；和对基片进行加热的加热部(BK1、BK2)。涂敷前清洗部设置在送入送出站与曝光装置之间，对涂敷处理前的基片的正面进行物理清洗。涂敷后清洗部设置在处理站与曝光装置之间，对涂敷处理后的基片的背面进行物理清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 显影 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080056483.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于DRAM及3D NAND装置的设计辅助检验
- 下一篇：电子控制装置
