[发明专利]氧卤化物前驱物在审
| 申请号： | 202080054603.3 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN114174216A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | D·M·埃默特;R·小赖特;T·H·鲍姆;B·C·亨德里克斯 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | C01B11/00 | 分类号： | C01B11/00;C23C16/14;C01G39/00;C01G41/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种制备钼和钨氧卤化物化合物的方法，所述氧卤化物化合物适用于将含有钼和钨的薄膜沉积于微电子装置的各个表面上。在本发明方法中，在固态介质中或在包含有包含碱金属盐和/或碱土金属盐的共晶掺合物的熔融相反应中加热三氧化钼或三氧化钨。由此形成的钼或钨氧卤化物可以蒸气形式分离且结晶以提供高纯性前驱物化合物，例如MoO |
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| 搜索关键词： | 卤化物 前驱 | ||
【主权项】：
暂无信息
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