[发明专利]可作为处理电路的主存储访问的非易失性存储电路在审
| 申请号： | 202080048761.8 | 申请日： | 2020-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN114041100A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·尼尔·海因兹;杰西·加勒特·贝;亚历杭德罗·里科·卡罗;何塞·阿尔贝托·乔奥 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/3225 | 分类号： | G06F1/3225;G06F1/3234;G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 杨佳婧 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种非易失性存储电路(22)作为处理电路(4)可访问的主存储，例如寄存器、高速缓存、便笺式存储器、TLB或片上RAM。当存储在该非易失性存储电路的给定区域(149)中的信息未被使用时，电源控制电路(147)对所述给定区域断电。与使用易失性存储来实现主存储相比，这提供了更为频繁的节能机会。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 处理 电路 主存 访问 非易失性 存储 | ||
【主权项】：
暂无信息
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