[发明专利]光刻工艺及关联设备的子场控制在审
| 申请号： | 202080048266.7 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN114174927A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | P·G·J·斯莫雷伯格;P·萨普塔拉;P·德尔温;K·艾尔巴泰 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 赵林琳 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种用于确定场内校正以控制光刻设备的方法，该光刻设备被配置为曝光在衬底的曝光场上的图案，所述方法包括：获取用于确定所述场内校正的量测数据；在该量测数据不可靠的情况下和/或在所述光刻设备在启动基于该量测数据的电位启动输入方面受限的情况下，确定指示较低精确度的精确度度量；以及至少部分地基于该精确度度量来确定所述场内校正。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 关联 设备 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
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