[发明专利]光刻工艺及关联设备的子场控制

说明书

公开了一种用于确定场内校正以控制光刻设备的方法，该光刻设备被配置为曝光在衬底的曝光场上的图案，所述方法包括：获取用于确定所述场内校正的量测数据；在该量测数据不可靠的情况下和/或在所述光刻设备在启动基于该量测数据的电位启动输入方面受限的情况下，确定指示较低精确度的精确度度量；以及至少部分地基于该精确度度量来确定所述场内校正。

背景

相关申请交叉引用

本申请要求于2019年7月4日提交的EP申请19184412.5和于2019年7月17日提交的EP申请19186820.7的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及用于在光刻工艺中将图案施加到衬底和/或测量所述图案的方法和设备。

背景技术

光刻设备是将所需图案施加到衬底上的机器，通常施加到衬底的目标部分上。例如，可以在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。在这种情况下，图案化装置，其备选地被称为掩模或掩模版，可以用于生成要在IC的各个层上形成的电路图案。该图案可以转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括裸片的一部分、一个裸片或几个裸片)上。图案的转印通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分，以及所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案来照射每个目标部分，同时同步地平行于或反平行于该方向扫描衬底。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转印到衬底。

为了监控光刻工艺，测量图案化衬底的参数。例如，参数可以包括在图案化衬底中或其上形成的连续层之间的套刻误差以及显影的光敏抗蚀剂的临界线宽(CD)。该测量可以在产品衬底上和/或专用量测目标上执行。存在用于测量光刻工艺中形成的微观结构的各种技术，包括使用扫描电子显微镜和各种专用工具。一种快速且非侵入式的专用检查工具是散射计，其中辐射束被引导到衬底表面上的目标上，并且测量散射或反射光束的属性。已知两种主要类型的散射计。光谱散射计将宽带辐射束引导到衬底上，并测量散射到特定窄角度范围内的辐射的光谱(作为波长的函数的强度)。角度分辨散射计使用单色辐射束，并测量作为角度的函数的散射辐射强度。

已知散射计的示例包括在US2006033921A1和US2010201963A1中描述的类型的角度分辨散射计。这种散射计使用的目标是相对较大(例如40μm×40μm)的光栅，并且测量光束产生小于光栅的光斑(即，光栅填充不足)。除了通过重建测量特征形状之外，还可以使用诸如公开的专利申请US2006066855A1中描述的设备来测量基于衍射的套刻。使用衍射级暗场成像的基于衍射的套刻量测能够在较小的目标上进行套刻测量。暗场成像量测的示例可以在国际专利申请WO2009/078708和WO 2009/106279中找到，这些文档通过引用整体并入。在公开的专利公布US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中描述了该技术的进一步发展。这些目标可以小于照明光斑，并且可以被晶片上的产品结构包围。使用复合光栅靶可以在一个图像中测量多个光栅。所有这些申请的内容也通过引用并入本文。