[发明专利]光刻工艺及关联设备的子场控制

权利要求书

1.一种用于确定场内校正以控制光刻设备的方法，所述光刻设备被配置为曝光在衬底的曝光场上的图案，所述方法包括：

获取用于确定所述场内校正的量测数据；

在所述量测数据不可靠的情况下和/或在所述光刻设备在启动基于所述量测数据的电位启动输入方面受限的情况下，确定指示较低精确度的精确度度量；以及

至少部分地基于所述精确度度量来确定所述场内校正。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述电位启动输入被配置用于控制所述光刻设备的平台和/或投影透镜操纵器。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述场内校正的目标是控制所述曝光场的子场。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中确定所述场内校正的步骤包括：

共同优化针对所述光刻设备的第一控制分布和针对掩模版写入工艺的第二控制分布；和/或

优化在用于控制所述光刻设备的控制回路中使用的时间滤波常数和/或加权常数，其中所述控制回路使用所述量测数据。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括使用所述精确度度量从控制策略库中选择控制策略，并且其中所述场内校正至少部分地基于所选择的控制策略。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述控制策略包括针对量测设备和/或所述光刻设备的测量策略。

7.根据权利要求6所述的方法，其中与对应于所选择的控制策略的所述测量策略相关联的测量密度，取决于所述精确度度量。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括基于光刻设备量测数据，使用经训练的求解器，来使用所述精确度度量选择控制策略。

9.根据权利要求8所述的方法，包括：从多个衬底获得包括非光刻设备量测数据和对应的光刻设备量测数据的训练数据；以及训练所述求解器以将所述非光刻设备量测数据链接至所述光刻设备量测数据。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中所述光刻设备量测数据包括调平数据。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括根据所述调平数据确定对裸片内应力的估计；以及基于所估计的裸片内应力确定所述场内校正。

12.根据权利要求11所述的方法，其中针对每个裸片执行确定估计和确定所述场内校正的步骤。

13.一种包括程序指令的计算机程序，所述程序指令当在适合的设备上运行时能够操作用于执行根据权利要求1所述的方法。

14.一种非瞬态计算机程序载体，包括根据权利要求13所述的计算机程序。

15.一种光刻设备，能够操作用于执行根据权利要求1所述的方法并在随后的曝光中使用所述场内校正。