[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202080041820.9 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113994478A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 金正倍;任东吉;崔寿永 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/24;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文的多个实施方式包括薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管包括具有不同迁移率的层的沟道层堆叠物。由于高迁移率沟道层和/或多个高迁移率沟道层中的载流子密度更高，本文公开的TFT通过低迁移率和高迁移率沟道层传输更高的总电流，这样增加了TFT的响应速度。TFT进一步包括设置在沟道层堆叠物之上的栅极结构。栅极结构包括一个或多个栅极电极，并且因此TFT是顶部栅极(TG)、双栅极(DG)或底部栅极(BG)TFT。沟道层堆叠物包括具有不同迁移率的多个层。具有不同迁移率的层给予TFT各种益处。高迁移率层增加了TFT的响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
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