[发明专利]光学超表面及相关制造方法和系统在审
| 申请号： | 202080029268.1 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN113728249A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 埃琳娜·米埃琳娜;雷达·阿伯德达姆;斯特凡·埃诺;朱利安·卢莫;伊万·沃兹纽克;特里芬·安托那卡西 | 申请（专利权）人： | 艾克斯-马赛大学;国家科学研究中心;马赛中央理工学院;多波创新公司 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;C03C23/00;G02B1/12;G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京知夏律师事务所 11970 | 代理人： | 孙海龙 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造被配置为在给定的工作光谱带中操作的光学超表面的方法(100)。该方法包括：获得(110)图案的2D阵列(220)，每个图案包括一个或多个纳米结构，该一个或多个纳米结构形成在工作光谱带中谐振的谐振介电元件(222)，所述纳米结构在至少一种光敏介电材料中形成，所述至少一种光敏介电材料的折射率能够通过暴露于波长位于光敏光谱带中的至少一个写入电磁波而变化；将所述2D阵列暴露(120)于至少一个波长位于所述光敏光谱带中的写入电磁波，所述写入波在2D阵列的平面中具有作为预期相位分布的函数的空间能量分布，使得在所述暴露之后，2D阵列中的每个图案在波长位于工作光谱带中的入射电磁波上产生与所述图案在所述暴露期间经历的折射率变化相对应的相位变化。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 表面 相关 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾克斯-马赛大学;国家科学研究中心;马赛中央理工学院;多波创新公司，未经艾克斯-马赛大学;国家科学研究中心;马赛中央理工学院;多波创新公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080029268.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
