[发明专利]光电器件、光子检测器和生成光电器件的方法在审
| 申请号： | 202080027304.0 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN113892190A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 乌尔斯·丹尼尔;安德里亚斯·菲齐 | 申请（专利权）人： | AMS国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L27/146;H01L31/105 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 李慧然;刘继富 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光电器件，包括：第一半导体层(1)，其具有第一导电性，且具有正面(11)和背面(12)。第二半导体层(2)，其具有第二导电性，且设置在第一半导体层(1)的正面(11)上，其还包括第一半导体区域(21)和第二半导体区域(22)，第一半导体区域和第二半导体区域在第二半导体层(2)中形成光电二极管(23)。信号路径(5)，其将光电二极管(23)电连接到固定电势。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 器件 光子 检测器 生成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
