[发明专利]光电器件、光子检测器和生成光电器件的方法

权利要求书

1.一种光电器件，包括：

-第一半导体层(1)，其具有第一导电性，且具有正面(11)和背面(12)，

-第二半导体层(2)，其具有第二导电性，且设置在所述第一半导体层(1)的正面(11)上，其还包括第一半导体区域(21)和第二半导体区域(22)，所述第一半导体区域和第二半导体区域在所述第二半导体层(2)中形成光电二极管(23)，以及

-信号路径(5)，其将所述光电二极管(23)电连接到固定电势。

2.一种光电器件，包括单个半导体裸片，所述半导体裸片还包括第一半导体层和第二半导体层(1，2)和信号路径(5)，其中：

-所述第一半导体层(1)具有第一导电性，且具有正面(11)和背面(12)，

-所述第二半导体层(2)具有第二导电性，且设置在所述第一半导体层(1)的正面(11)上，其还包括第一半导体区域(21)和第二半导体区域(22)，所述第一半导体区域和第二半导体区域在所述第二半导体层(2)中形成光电二极管(23)，并且

-所述信号路径(5)将所述光电二极管(23)电连接到固定电势。

3.根据权利要求1或2所述的光电器件，其中，所述信号路径(5)将所述光电二极管(23)与所述第一半导体层(1)的背面(12)电连接。

4.根据权利要求1至3之一所述的光电器件，其中，第一接触区域(31)设置在所述第一半导体层(1)的背面(12)上，且耦合到所述信号路径(5)。

5.根据权利要求4所述的光电器件，其中

-重分布层(3)设置在所述背面(12)上，

-所述重分布层(3)还包括氧化物层和金属化层，并且

-所述重分布层(3)包括所述第一接触区域(31)，以使得所述信号路径(5)将所述光电二极管(23)与所述第一接触区域(31)电连接。

6.根据权利要求1至5之一所述的光电器件，其中，所述信号路径(5)包括虚设的衬底通孔。

7.根据权利要求1至6之一所述的光电器件，其中：

-所述第二半导体层(2)包括一个或更多个功能电路(24、25)，

-一个或更多个硅通孔(14)设置在第一半导体层和第二半导体层(1，2)中，并且

-一个或更多个凸块(35)设置在所述背面(12)上，以经由所述一个或更多个硅通孔(14)电连接所述一个或更多个功能电路(24、25)。

8.根据权利要求1至7之一所述的光电器件，其中

-后端层(4)设置在所述第二半导体层(2)上，并且

-涂覆层(41)与所述后端层(4)毗邻设置，以使得所述光电二极管(23)至少部分地被所述涂覆层(41)包围。

9.根据权利要求1至8之一所述的光电器件，其中

-所述第二半导体层(2)是外延层，

-所述外延层构造成在所述正面(11)上提供至少第二接触区域(13)，和/或

-后端层(4)设置在所述外延层上，且包括至少耦合到所述第二接触(13)的金属化部。

10.根据权利要求1至9之一所述的光电器件，其中：

-所述第一半导体区域(21)具有n+型导电性，所述第二半导体区域(22)具有p+型导电性，或是相反的，并且

-所述第一半导体区域(21)和所述第二半导体区域(22)间隔开，以在所述第二半导体层(2)中形成PIN光电二极管(23)。

11.根据权利要求1至10之一所述的光电器件，其中，所述第一半导体层(1)是高掺杂的，且具有p++型或n++型导电性。