[发明专利]3D NAND闪存的控制方法和控制器在审
| 申请号： | 202080000942.3 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111727477A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 黄莹;刘红涛;王启光;魏文喆 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 三维(3D)NAND闪速存储器阵列的编程过程的控制方法包括：在编程阶段中对3D NAND闪速存储器阵列的位单元进行编程；以及在编程阶段之后的验证阶段中验证3D NAND闪速存储器阵列的位单元是否被编程；其中，编程阶段包括：利用多个编程电压脉冲对3D NAND闪速存储器阵列的位单元进行编程；其中，验证阶段包括：读取3D NAND闪速存储器阵列的具有低于或高于正常读取电压脉冲的电压的位单元。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 控制 方法 控制器 | ||
【主权项】：
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