[实用新型]高精度电容传感器结构有效
| 申请号: | 202023335300.5 | 申请日: | 2020-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN214583779U | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 吴鉴九;柏洪 | 申请(专利权)人: | 重庆市伟岸测器制造股份有限公司 |
| 主分类号: | G01L7/08 | 分类号: | G01L7/08;G01L9/12 |
| 代理公司: | 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙) 50216 | 代理人: | 王海荣 |
| 地址: | 401121 重庆市*** | 国省代码: | 重庆;50 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型公开了一种高精度电容传感器结构,包括结构一致且水平对称布置的下波纹膜座和上波纹膜座,二者之间封装有测量膜片,下波纹膜座的上端面开有下弧形凹槽,上波纹膜座的下端面开有上弧形凹槽,上弧形凹槽和下弧形凹槽的槽口相对,上弧形凹槽和下弧形凹槽的槽面上设置有一层隔离涂层,其特征在于:下弧形凹槽边沿与下波纹膜座侧壁的距离≥2mm;上弧形凹槽边沿与上波纹膜座侧壁的距离≥2mm;测量膜片的外轮廓与下波纹膜座上端面、上波纹膜座下端面完全重合。有益效果:避免因焊接对测量膜片造成的变形或轻微位移影响传感器精度,保证弧形空腔内的油脂密封效果。 | ||
| 搜索关键词: | 高精度 电容 传感器 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆市伟岸测器制造股份有限公司,未经重庆市伟岸测器制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202023335300.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。





