[实用新型]一种变频器的单管IGBT装配结构有效

专利信息
申请号: 202023032364.8 申请日: 2020-12-16
公开(公告)号: CN214429775U 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 李创晓;韦元林 申请(专利权)人: 深圳市默贝克驱动技术有限公司
主分类号: H05K1/18 分类号: H05K1/18;H05K1/02;H01L23/367;H01L23/40;H01L29/739;H02M1/00
代理公司: 深圳市中兴达专利代理有限公司 44637 代理人: 黄美玲
地址: 518000 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型属于电气设备技术领域,尤其涉及一种变频器的单管IGBT装配结构,装配结构包括底壳箱体、陶瓷片和单管IGBT,陶瓷片的尺寸大于单管IGBT的尺寸,并且陶瓷片和单管IGBT均开设通孔,底壳箱体的顶板背面开设第一凹坑,第一凹坑的尺寸与陶瓷片的尺寸相匹配,底壳箱体的顶板正面开设与第一凹坑相贯通的第二凹坑,第二凹坑的尺寸与单管IGBT的尺寸相匹配,变频器采用上述装配结构,不需要借助外部工装,定位陶瓷片和单管IGBT,使数个单管IGBT的针脚与电路板的焊盘孔准确对位,生产装配简单,效率高;同时由于定位单管IGBT的第二凹坑与定位陶瓷片的第一凹坑壁是相对的,通过错位加大了单管IGBT的针脚与散热器之间的安全距离。
搜索关键词: 一种 变频器 igbt 装配 结构
【主权项】:
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