[实用新型]一种硅片检测机构及镀膜设备有效
| 申请号： | 202022887834.2 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN213459649U | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 孙津;刘恩华;张晨鑫;姜大俊 | 申请（专利权）人： | 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 224000 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及太阳能电池生产技术领域，公开一种硅片检测机构及镀膜设备。该硅片检测机构包括传输组件、检测组件和转移组件，传输组件用于承接并传输的待镀膜硅片，检测组件位于传输组件的上方，检测组件能够检测传输组件上的待镀膜硅片的表面的反射率，转移组件与检测组件电连接，转移组件被配置为根据检测组件的检测结果将待镀膜硅片转移至对应的石英舟内。本实用新型提供的硅片检测机构，转移组件能够根据检测组件的检测结果将待镀膜硅片转移至对应的石英舟内，以将待镀膜硅片分类，每个石英舟对应一种镀膜工艺参数，每个待镀膜硅片均能在与其表面的反射率相匹配的工艺参数下进行镀膜处理，保证了硅片表面的镀膜效果，产品质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 检测 机构 镀膜 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
