[实用新型]薄膜晶体管以及包括其的阵列基板与显示器有效

专利信息
申请号: 202022797818.4 申请日: 2020-11-27
公开(公告)号: CN213752748U 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 黄志腾;韩心瑜;陈鸿利;向怡璇 申请(专利权)人: 凌巨科技股份有限公司
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L27/28;G09F9/30
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 薛恒;王琳
地址: 中国台湾苗栗县头份市芦竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 实用新型提供一种薄膜晶体管,其包括栅极、有机半导体层、栅介电层、源极、漏极以及接面层。有机半导体层与栅极对应地设置。栅介电层设置于栅极与有机半导体层之间。源极以及漏极各自设置于有机半导体层的两侧。接面层设置于有机半导体层与源极以及漏极之间。接面层与源极以及漏极对应地设置,且接面层的材料包括金属氧化物或有机材料。本实用新型另提供一种包括此薄膜晶体管的阵列基板与显示器。在本实用新型的阵列基板中,接面层与源极走线以及漏极走线对应地设置。
搜索关键词: 薄膜晶体管 以及 包括 阵列 显示器
【主权项】:
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