[实用新型]一种高温臭氧氧化装置有效
| 申请号： | 202022706143.8 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN213401112U | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王振交;艾凡凡;韩培育 | 申请（专利权）人： | 苏州中世太新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人： | 许益民 |
| 地址： | 215121 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种高温臭氧氧化装置，该装置用以对硅片表面进行氧化，包括壳体、传送组件、加热组件和氧化组件，传送组件用以支撑并传送硅片，加热组件用以加热硅片，传送组件和加热组件均设置在壳体的内部；氧化组件用以对硅片表面进行氧化，氧化组件包括臭氧发生器、多根臭氧喷淋管和多个紫外光源，臭氧发生器设置在壳体的外部，多根臭氧喷淋管和多个紫外光源设置在壳体内部沿硅片的移动方向位于加热组件后方的位置，多根臭氧喷淋管沿硅片的移动方向依次设置在壳体的顶部，多个紫外光源沿硅片的移动方向依次设置在壳体顶部位于相邻两根臭氧喷淋管中间的位置，多根臭喷淋管均与臭氧发生器连通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 臭氧 氧化 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
