[实用新型]低开关损耗功率MOS器件有效
| 申请号： | 202022641333.6 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN213278098U | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 朱小雨 | 申请（专利权）人： | 深圳市尚芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳驿航知识产权代理事务所(普通合伙) 44605 | 代理人： | 杨伦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了低开关损耗功率MOS器件，包括：漏极金属、设置在漏极金属上表面的外延层、设置在外延层上表面的阱区、设置在阱区内的阱区电极、设置在阱区上表面的源区、连接源区与阱区电极的源极金属以及依次穿过源区以及阱区设置在外延层内的沟槽；沟槽内设置有上栅电极以及下栅电极，上栅电极位于沟槽的上半部分且位于下栅电极的上方，上栅电极为H型，H型包含左右两侧的垂直段以及连接在两个垂直段中间的一个水平段，垂直段与上栅介质接触；上栅电极和下栅电极通过下栅介质隔开，上栅电极通过上栅介质与阱区隔开；下栅电极位于沟槽的下半部分，下栅电极通过下栅介质与外延层隔开。本实用新型提高功率MOS器件的开关速度以及降低开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 损耗 功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
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