[实用新型]一种交换偏置场可调控的存储器结构有效
| 申请号： | 202022285692.2 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN212934662U | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李洪伟 | 申请（专利权）人： | 遵义师范学院 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京栈桥知识产权代理事务所(普通合伙) 11670 | 代理人： | 余柯薇 |
| 地址： | 563006 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： |
本实用新型涉及磁存储技术领域，尤其是一种交换偏置场可调控的存储器结构，经柔性衬底层、第一隧道结层、第二隧道结层以及在第一隧道结层与第二隧道结层之间设MOF材料层，使得具有交换偏置场的结构单元在柔性衬底层，结合铁磁层，改善对应力敏感性，保障了温度、电场致使应力变化，而实现交换偏置场大小调整，且结合具有[(CH |
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| 搜索关键词： | 一种 交换 偏置 调控 存储器 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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