[实用新型]一种硅片生产的链式碱抛水上漂技术装置有效
申请号: | 202022109664.5 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN212810320U | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 孙刘竹;李冰 | 申请(专利权)人: | 苏州库睿斯自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海思牛达专利代理事务所(特殊普通合伙) 31355 | 代理人: | 雍常明 |
地址: | 215200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硅片生产的链式碱抛水上漂技术装置,包括反应槽,所述反应槽的内部转动安装有传动机构,所述反应槽的顶部分别固定连接有水膜机构和第一感应器,所述水膜机构的内部设置有温控单元,所述第一感应器位于水膜机构的一侧,所述反应槽的内壁固定安装有第二感应器,所述第二感应器位于传动机构的上端,所述反应槽的内部设置有建浴机构,本实用新型通过传动装置对硅片的多段水膜附着,利用反应槽内低液位从而产生药水张力的作用,使硅片上部的磷硅玻璃在生产中不会被破坏,解决了现如今刻蚀工艺效果不佳且成本昂贵等问题,且降低了生产成本,提高了良品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 生产 链式 水上 技术 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的