[实用新型]一种应用于MOCVD新型液态源气化系统有效
| 申请号： | 202021840345.5 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN213013085U | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 孙飞 | 申请（专利权）人： | 苏州尚勤光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/448 | 分类号： | C23C16/448 |
| 代理公司： | 江苏昆成律师事务所 32281 | 代理人： | 刘尚轲 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型为了解决鼓泡法存在安全隐患，并且鼓泡法精度低、响应慢、长期稳定性不佳，维护量大，使用成本高的问题，提出一种应用于MOCVD新型液态源气化系统，放弃了原有的饱和蒸气压理论，采用沸点理论，对沸点在0℃～200℃的范围内的液态源先气化后再稀释，该技术能直接蒸发液态源，完全控制液态源蒸气的流量替代传统方式采用载气携带的方式，弥补其无法直接控制液态源浓度及流量的缺陷，对于工艺起到稳定的作用，同时精度更高、自动化程度更好，资源节约。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 mocvd 新型 液态 气化 系统 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
