[实用新型]碳化硅晶体退火坩埚及退火装置有效

专利信息
申请号: 202021832997.4 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN213172687U 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 肖体康;周玉洁;潘尧波;马远;方秀亮 申请(专利权)人: 中电化合物半导体有限公司
主分类号: C30B33/02 分类号: C30B33/02;C30B29/36
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 林凡燕
地址: 315336 浙江省宁波市杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提供一种碳化硅晶体退火坩埚及退火装置,该退火坩埚包括底部坩埚,底部坩埚;若干环形坩埚,依次叠置于所述底部坩埚上,位于最底部的所述环形坩埚的底端与所述底部坩埚的顶端螺纹连接,相邻的两个所述环形坩埚之间通过螺纹连接;顶盖,所述顶盖与最顶部的所述环形坩埚的顶端;所述底部坩埚、所述若干环形坩埚及所述顶盖共同限定出多个独立的退火腔体。利用本实用新型进行碳化硅晶体二次退火时,可以减小位于下方的晶体会受到上方晶体的压迫而产生外应力,降低碳化硅晶体在退火过程中因应力过大而造成晶体开裂的破损率,提高碳化硅晶体产率。
搜索关键词: 碳化硅 晶体 退火 坩埚 装置
【主权项】:
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