[实用新型]一种射频芯片的衬底隔离结构有效
| 申请号: | 202021058349.8 | 申请日: | 2020-06-10 |
| 公开(公告)号: | CN211828775U | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 张智;向祥林 | 申请(专利权)人: | 苏州芈图光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06 |
| 代理公司: | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人: | 唐学青 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市中国(苏州)自由贸易试*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本申请公开一种射频芯片的衬底隔离结构。该衬底隔离结构的一侧端上配置有衬底底盘,所述衬底底盘的外侧依次间隔的配置有Ptap保护环、Ntap保护环及deep trench保护环,所述Ptap保护环以及Ntap保护环连接GND端,所述衬底底盘用于配置被保护电路。通过这样的设计,首先经过ptap区域,通过低阻的Ptap保护环、Ntap保护环的路径,将噪声快速吸收转移到GND中进而将噪声泄放,同时通过配置于最外侧的deep trench(即高阻隔离墙)保护环,加大了噪声源与被保护电路之间的通路阻值,防止噪声进入,有效地降低高频噪声对周围器件的影响,做到更好的隔离。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 射频 芯片 衬底 隔离 结构 | ||
【主权项】:
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