[实用新型]屏蔽栅功率半导体器件有效
| 申请号： | 202020997663.6 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN212033029U | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;杨卓;刘晶晶;叶鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种屏蔽栅功率半导体器件，它包括栅极金属、源极金属、沟槽、屏蔽栅多晶硅、栅极多晶硅、屏蔽栅接触孔、栅极接触孔、漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、场氧层、第二导电类型体区、第一导电类型源区、栅氧层、绝缘介质层、屏蔽栅总线金属与栅极总线金属；还包括屏蔽栅极电阻Rs，屏蔽栅极电阻Rs连接在屏蔽栅总线金属与源极金属之间。本实用新型能有效地防止屏蔽栅功率MOSFET的栅极电压、漏源电压、漏源电流在反向恢复过程中出现剧烈的震荡现象，而且屏蔽栅极电阻Rs越大，波形震荡越小。本实用新型的结构不影响器件的静态参数。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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