[实用新型]GaN基LED芯片有效
| 申请号： | 202020726823.3 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN211789072U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 梁伏波;杨小东;黄涛 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN基LED芯片，包括：支撑衬底；设于支撑衬底表面的多层半导体结构，多层半导体结构从下到上包括第一半导体层、量子阱层及第二半导体层，第二半导体层为GaN层，且多层半导体结构表面包括第一预设区域和第二预设区域，其中，第一预设区域为未粗化GaN表面，第二预设区域为粗化GaN表面；及于第二半导体层第一预设区域表面制作的金属电极。相对于现有整个多层半导体结构表面均粗化的芯片来说，大大提高了后续封装焊线的可靠性，大大降低了出现虚焊、掉电极等异常现象的概率。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 芯片 | ||
【主权项】：
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