[实用新型]一种用于低阈值全光开关的双稳态准光子晶体结构有效
申请号: | 202020629334.6 | 申请日: | 2020-04-23 |
公开(公告)号: | CN211698524U | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 章普 | 申请(专利权)人: | 湖北科技学院 |
主分类号: | G02F3/02 | 分类号: | G02F3/02;G02F1/35 |
代理公司: | 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙) 42249 | 代理人: | 汪彩彩 |
地址: | 437100 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: |
本实用新型提供了一种用于低阈值全光开关的双稳态准光子晶体结构,属于光电技术领域。本双稳态准光子晶体结构包括斐波那契序列准晶体结构一、斐波那契序列准晶体结构二和一层石墨烯层,斐波那契序列准晶体结构一和斐波那契序列准晶体结构二复合在一起形成一缺陷腔,石墨烯层嵌入缺陷腔内,斐波那契序列准晶体结构一为若干电介质层一和若干电介质层二堆叠而成的多层结构,斐波那契序列准晶体结构二为若干电介质层三和若干电介质层四堆叠而成的多层结构,电介质层一和电介质层三的材料为MgF |
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搜索关键词: | 一种 用于 阈值 开关 双稳态 光子 晶体结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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