[实用新型]红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构有效
| 申请号: | 202020619621.9 | 申请日: | 2020-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN212010988U | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
| 发明(设计)人: | 朱建妹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
| 地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本专利公开了一种红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构,该结构是由凸起子铟体的列阵芯片和凹陷母铟体的列阵芯片通过对准嵌合,形成铟互连。凸起子铟体是在红外材料芯片上制备的铟柱列阵,凹陷母铟体是在硅集成电路或宝石电路芯片上制备的铟柱列阵。本专利的优点是:红外材料芯片与硅集成电路或宝石电路芯片通过子母铟体嵌合达到铟互连,压力小,互连紧密,连通率高。该专利很好的解决了红外焦平面探测器铟混成互连的断层问题,而且可以更好的满足多元器件铟互连要求。 | ||
| 搜索关键词: | 红外 平面 探测器 嵌合 互连 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





