[实用新型]逆变器用NPN型功率晶体管

摘要

本实用新型涉及一种逆变器用NPN型功率晶体管，在N+型衬底层的下表面设有背面金属层，在N+型衬底层的上表面设有N‑型衬底层，在N‑型衬底层内设有P‑型基区，在P‑型基区内设有N+型发射区与N+型增阻环，N+型增阻环包围所述的N+型发射区，在P‑型基区的上表面设有基区金属层，在基区金属层的上表面设有基区金属层引出端，在N+型发射区的上表面设有发射区金属层，在发射区金属层的上表面设有发射区金属层引出端，发射区金属层与基区金属层之间通过绝缘介质层相互隔离。本实用新型提高了特征频率，减小了开关时间；能吸附杂质，降低漏电流；能够减少尖峰击穿，减小产品的漏电流；提高了产品的功率耐量，使产品具有较高的抗过热点烧毁能力。