[实用新型]一种LED芯片P电极的结构有效
| 申请号： | 202020506546.5 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN211605180U | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 尹宝堂 | 申请（专利权）人： | 辽宁百思特达半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 王翠 |
| 地址： | 124000 辽宁省盘锦市兴隆台区兴业*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型属于LED技术领域，尤其涉及一种LED芯片P电极的结构，从下至上依次包括衬底、N型层、有源层和P型层，所述N型层上设有台面，所述台面上设置有N电极，所述P型层上设置有ITO电流扩展层，所述ITO电流扩展层上设置有P电极；所述N电极的前后两端沿所述台面向所述P电极方向均延伸有第一电极扩展条；所述P电极的前后两端沿所述ITO电流扩展层向所述N电极方向均设置有第二电极扩展条，通过在N电极5的前后延伸设有两个第一电极扩展条51，N电极5以及与N电极5延伸的第一电极扩展条51三者之间形成有间隙，同时P电极7设有插接于该间隙中间的两个第二电极扩展条71，使电流比较均匀，将会有更好的扩展效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 电极 结构 | ||
【主权项】：
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