[发明专利]一种有源加速半导体器件辐照失效的方法在审
| 申请号： | 202011642334.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112834846A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 郭文勇;桑文举;田晨雨;蔡洋;于苏杭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 张乾桢 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有源加速半导体器件辐照失效的方法，包括如下步骤：步骤1、首先将半导体器件置于辐照腔内，所述的辐照腔外部连接有电场或磁场发生装置，所述电场或磁场发生装置通过开关连接到外接电源；步骤2、打开所述开关，启动电场或磁场发生装置，使得所述电场发生装置产生与半导体器件界面垂直的电场；或者，使得所述磁场发生装置产生平行于半导体界面的磁场，并且在半导体器件的部分引脚施加电压；步骤3、然后启动辐照装置，辐照高能粒子入射所述的半导体器件，产生多个的空穴‑电子对；半导体器件氧化层中的空穴一部分向衬底扩散，途中释放质子，垂直于界面的电场或平行于界面的磁场加速质子向界面的扩散运动，提高界面陷阱电荷密度，加速器件失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 加速 半导体器件 辐照 失效 方法 | ||
【主权项】：
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