[发明专利]一种有源加速半导体器件辐照失效的方法

权利要求书

1.一种有源加速半导体器件辐照失效的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、首先将半导体器件置于辐照腔内，所述的辐照腔外部连接有电场或磁场发生装置，所述电场或磁场发生装置通过开关连接到外接电源；

步骤2、打开所述开关，启动电场或磁场发生装置，

使得所述电场发生装置产生与半导体器件界面垂直的电场；或者，使得所述磁场发生装置产生平行于半导体界面的磁场，并且在半导体器件的部分引脚施加电压；

步骤3、然后启动辐照装置，辐照高能粒子入射所述的半导体器件，产生多个的空穴-电子对；半导体器件氧化层中的空穴一部分向衬底扩散，途中释放质子，质子被绝缘层-半导体界面含氢缺陷捕获形成带正电的界面陷阱；捕获空穴产生的带正电陷阱电荷快速在质子之前抵达界面附近，这些正电荷在界面处形成静电屏蔽；

步骤4、垂直于界面的电场或平行于界面的磁场削弱带正电陷阱电荷形成的静电屏蔽，进而加速质子向界面的扩散运动，提高界面陷阱电荷密度，加速器件失效。

2.根据权利要求1所述的一种有源加速半导体器件辐照失效的方法，其特征在于：所述的半导体器件为单极性或双极性半导体器件。

3.根据权利要求2所述的一种有源加速半导体器件辐照失效的方法，其特征在于：所述的单极性半导体器件为mosfet场效应晶体管，所述双极性半导体器件为PNP或NPN型晶体管。

4.根据权利要求1所述的一种有源加速半导体器件辐照失效的方法，其特征在于：所述的半导体界面为mosfet或晶体管的SiO2/Si界面。

5.根据权利要求1所述的一种有源加速半导体器件辐照失效的方法，其特征在于：所述在半导体器件的部分引脚施加电压具体包括：

在mosfet器件的源极、漏极之间及源极、栅极之间施加电压，漏源极之间产生电流。

6.根据权利要求1所述的一种有源加速半导体器件辐照失效的方法，其特征在于：所述在半导体器件的部分引脚施加电压具体包括：

在双极性半导体器件的发射极、基极之间和发射极、集电极之间施加电压，集电极和发射极之间产生电流。