[发明专利]一种高迁移率TFT器件用靶材的使用方法在审
| 申请号： | 202011641556.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112813398A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 汤惠淋;宋世金;朱刘;邵学亮 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/52;C23C14/54;H01L29/10 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;朱燕华 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提出一种高迁移率TFT器件用靶材的使用方法，包括：安装靶材；清洗衬底；通过直流磁控溅射在衬底上生长薄膜；靶材使用中，监测靶材的沟道深度，沟道深度每增加0.1mm，则溅射功率增加0.02‑0.15W/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 迁移率 tft 器件 用靶材 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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