[发明专利]一种高速读ID和芯片状态的电路和flash存储器有效
| 申请号： | 202011632894.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112542187B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘佳庆;黎永健;蒋双泉 | 申请（专利权）人： | 芯天下技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高速读ID和芯片状态的电路和flash存储器，通过指令产生电路的移位寄存器的低7位和SPI接口组合进而产生8位的判断逻辑分别用于产生读芯片ID或读状态寄存器的指令，并将指令同时提供给数据输出电路的输出移位寄存器，根据读芯片ID或读状态寄存器的指令通过选择输出芯片ID或状态寄存器的数值给输出移位寄存器的D端，最后通过移位寄存器输出；通过将输出移位寄存器Q端后的组合逻辑放到输出移位寄存器的D端执行，这样本电路会比flash存储器一般读指令提前一个时钟周期输出数据，减少了IO端口的组合逻辑，使读速度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 速读 id 芯片 状态 电路 flash 存储器 | ||
【主权项】：
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