[发明专利]芯片、芯片制备方法及固态纳米孔微阵列装置在审
| 申请号： | 202011626564.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114682311A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 凌新生;曹铭 | 申请（专利权）人： | 苏州罗岛纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00;B81C1/00;B81B1/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C12Q1/6869 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片、芯片制备方法及固态纳米孔微阵列装置，芯片制备方法包括：步骤S1：选取并清洗SOI硅片；步骤S2：在SOI硅片的两面分别制作掩膜层；步骤S3：在掩膜层上分别刻蚀出至少两条轨迹线，以露出SOI硅片的硅层，同一掩膜层上的轨迹线平行，不同掩膜层上的轨迹线呈预设角度相交；步骤S4：分别腐蚀SOI硅片两面露出的硅层，并沿着轨迹线形成V形槽，以露出SOI的埋氧层；步骤S5：从SOI硅片的两面分别腐蚀埋氧层，以在两面硅层的V形槽交汇处形成纳米孔；步骤S6：切片形成芯片。本发明避免了TEM/HIM打孔的步骤，降低了成本。且芯片上阵列有多个纳米孔，一次可以完成多个测试任务，提高了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 制备 方法 固态 纳米 阵列 装置 | ||
【主权项】：
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