[发明专利]提取CIS像元阵列电路寄生电阻电容的方法和系统在审

专利信息
申请号: 202011625611.7 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112784523A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 孙杰;顾学强;周伟 申请(专利权)人: 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
主分类号: G06F30/398 分类号: G06F30/398;G06F30/367
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;尹一凡
地址: 201800 上海市嘉定*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种提取CIS像元阵列电路寄生电阻电容的方法和系统,根据电路设计规则输出初始网表,根据所述初始网表生成初始版图,添加标识至主单元初始版图、子单元初始版图和第二电路初始版图;根据所述主单元初始版图生成具有第一寄生参数的第一寄生网表,以及根据所述第二电路初始版图生成具有第二寄生参数的第二寄生网表;根据所述标识混合所述第一寄生网表和所述第二寄生网表,生成混合寄生网表。本发明提供一种提取CIS像元阵列电路寄生电阻电容的方法,结合了三维场解析提取的高精度以及版图寄生模型匹配寄生提取的快速的特点,实现了寄生信息快速且准确的提取。
搜索关键词: 提取 cis 阵列 电路 寄生 电阻 电容 方法 系统
【主权项】:
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