[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 202011624301.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114695551A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王琼 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 冯永贞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件。半导体器件包括：衬底，具有第一导电类型；浅沟槽隔离结构，设置于所述衬底中且呈第一环形结构，所述衬底被所述浅沟槽隔离结构环绕的区域为有源区；漏极掺杂区，具有第二导电类型，设置于所述有源区的中心区域的上表面；源极掺杂区，具有第二导电类型，设置于所述漏极掺杂区的两侧的所述有源区的上表面，且与所述漏极掺杂区间隔设置；场氧化层，设置于所述有源区内的所述衬底的上表面且呈第二环形结构，并环绕所述漏极掺杂区；栅极多晶，设置于所述衬底的上表面且呈第三环形结构，并环绕所述场氧化层；漂移区，具有第二导电类型，设置于所述衬底中并包围所述漏极掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
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