[发明专利]一种中阶梯光栅硅光芯片温度传感器有效
申请号: | 202011621174.1 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112665749B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 郑宇;黄颖 | 申请(专利权)人: | 武汉科宇智联信息技术有限公司 |
主分类号: | G01K11/00 | 分类号: | G01K11/00 |
代理公司: | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人: | 廉海涛 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及光通信技术领域,特别涉及一种中阶梯光栅硅光芯片温度传感器,包括:光源、输入波导、罗兰圆、曲面光栅、输出波导及光电探测器。罗兰圆内部为硅材料的自由传播区域;曲面光栅的反射面由多个子曲面构成;罗兰圆与曲面光栅的反射面的中心相切相交。输入波导及输出波导设置在罗兰圆上。光源发出的光信号经输入波导入射至曲面光栅的反射面,经曲面光栅反射、聚焦后从输出波导输出至光电探测器。本发明提供的中阶梯光栅硅光芯片温度传感器,结构简单,整体尺寸可微型化到300μm×100μm,大大优化了空间使用效率,降低了制造成本。通过调节罗兰圆半径、输入波导位置、输出波导位置等参数,可实现超宽带光谱运行,降低了对光源工作波长范围的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 阶梯 光栅 芯片 温度传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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