[发明专利]一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法在审
| 申请号： | 202011618721.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112864091A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 陈博;赵浩;张静;黎载红 | 申请（专利权）人： | 上海波汇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/8252;H01L21/50;H01L21/66;H01S5/026;H01S5/06;H01S5/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201613 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，其特征在于，所述DFB激光器芯片的制作方法包括以下步骤：芯片设计：在设计DFB激光器芯片是会通过多个团队进行设计；圆晶生产：先进行光刻，然后对圆晶进行加工，使其更圆晶达到规格，完成圆晶的初步加工，圆晶检测：通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测，一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，从而需要长时间的测试，芯片封装，将同种芯片内核封装为不同的形式，提高产品的能力，本发明通过优先向对DFB激光器的精准以及带宽等方向进行设计，使其本装置相较于传统的装置，能对激光位置进行校准，使其本芯片可控制激光对其他物体进行高精度的切割。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 25 gbs 高速 调制 dfb 激光器 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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