[发明专利]粒子电共沉积制备碳纳米管改性二氧化锰电极的方法和应用在审
| 申请号： | 202011614613.6 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112678925A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 朱惠婷;杨方宗;杨杭福 | 申请（专利权）人： | 杨方宗 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F1/72;C25D9/06;C23C18/12;C23C28/04;C02F101/30 |
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| 地址： | 317208 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了粒子电共沉积制备碳纳米管改性二氧化锰电极的方法和应用。该碳纳米管改性的二氧化锰电极由内向外依次包括基体、锡锑金属氧化物底层和改性的二氧化锰活性层；其中，在所述改性二氧化锰活性层中，包括经碳纳米管改性的二氧化锰。本发明所提供的碳纳米管改性的二氧化锰电极，其中氧化物底层，能够有效避免基底其钝化，一定程度上增加了电极的使用寿命；碳纳米管引入二氧化锰活性层，显著提高电极的比表面积、吸附性能、稳定性，增加了电极的寿命，同时增加了电极表面的活性位点，提高电极的降解有机废水的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子 沉积 制备 纳米 改性 二氧化锰 电极 方法 应用 | ||
【主权项】：
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