[发明专利]一种深紫外LEDs制备方法及深紫外LEDs在审
| 申请号： | 202011610434.5 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114695603A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 陈洋;孙晓娟;黎大兵;蒋科;贲建伟;张山丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 魏毅宏 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的深紫外LEDs制备方法，以过原位生长的图案化石墨烯作为深紫外LEDs的p接触层，同时利用原位掺杂方法调控石墨烯的能级，替代传统的紫外光吸收p‑GaN接触层材料，进而提高深紫外LEDs的光取出效率，本发明提供的深紫外LEDs制备方法为制备高功率、顶出射的深紫外LEDs提供了一种简便、可行的新方案。另外，本发明还提供了一种由上述制备方法制备得到的深紫外LEDs。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 leds 制备 方法 | ||
【主权项】：
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